Методы измерения параметров полупроводников : Процессы, обусловленные равновесной концетрацией носителей заряда / Моск. ордена Трудового Красного Знамени ин-т стали и сплавов. Кафедра материаловедения полупроводников. Ч. 1
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Физические характеристики: |
152 с. : черт.
|
| Язык: | Русский |
Загрузка