
Теоретические основы проектирования и предельная метрика надежных кремниевых мощных ВЧ и СВЧ транзисторов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук: (05.12.18)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Петров, Б. К. |
Опубликовано: | М. , 1980 |
Физические характеристики: |
35 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr28120580000 | ||
005 | 20070522161540.0 | ||
100 | # | # | $a 20070522d1980 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Теоретические основы проектирования и предельная метрика надежных кремниевых мощных ВЧ и СВЧ транзисторов $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук $e (05.12.18) |
210 | # | # | $a М. $d 1980 |
215 | # | # | $a 35 с. |
300 | # | # | $a В надзаг.: Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.: с. 30-35 (37назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 05.12.18 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Петров $b Б. К. $g Борис Константинович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070522 $g psbo |