|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr24796760000 |
| 005 |
20191121132057.0 |
| 010 |
# |
# |
$a 5-256-00136-1
$b в пер.
$d 2 р. 70 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [88-77912]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20071115d1988 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Полевые транзисторы на арсениде галлия
$e Принципы работы и технология изготовления
$f [П. Ф. Линдквист, У. М. Форд, Л. Холлан и др.]
$g Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола; Перевод с англ. Г. В. Петрова
|
| 210 |
# |
# |
$a М.
$c Радио и связь
$d 1988
|
| 215 |
# |
# |
$a 494, [1] с.
$c ил.
$d 22 см
|
| 300 |
# |
# |
$a Авт. указаны в огл. - Библиогр.: с 439-490. - Перевод изд.: Gats fet principles and technology (Artesh House, inc.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 10000 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Триоды полупроводниковые полевые
|
| 610 |
0 |
# |
$a Галлий, арсенид - Полупроводниковые свойства
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.382.323
|
| 686 |
# |
# |
$a 32.852.3
$2 rubbk
|
| 701 |
# |
1 |
$a Линдквист
$b П. Ф.
|
| 702 |
# |
1 |
$a Ди Лоренцо
$b Д. В.
$4 340
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20071115
$g psbo
|
