Особенности баллистического переноса в диодных полупроводниковых структурах с биполярной инжекцией / Н. Г. Белова, В. И. Рыжий, Ю. С. Сигов и др.

Сохранено в:
Шифр документа: М272660,
Вид документа: Книги
Опубликовано: М. : ИПМ , 1984
Физические характеристики: 23 с. : граф. ; 20 см
Язык: Русский
Серия: Препринт № 30
Предмет:
00000nam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr24328520000
005 20071113145351.0
010 # # $d 9 к. 
021 # # $a RU  $b [84-31234] 
100 # # $a 20071113d1984 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Особенности баллистического переноса в диодных полупроводниковых структурах с биполярной инжекцией  $f Н. Г. Белова, В. И. Рыжий, Ю. С. Сигов и др. 
210 # # $a М.  $c ИПМ  $d 1984 
215 # # $a 23 с.  $c граф.  $d 20 см 
225 2 # $a Препринт  $f Ин-т прикл. математики им. М. В. Келдыша АН СССР  $v № 30 
300 # # $a Библиогр.: с. 14-16 (16 назв.) 
345 # # $9 210 экз. 
610 0 # $a Полупроводниковые соединения - Электронная структура 
610 0 # $a Переноса явления 
675 # # $a 537.311.322 
701 # 1 $a Белова  $b Н. Г.  $g Надежда Григорьевна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071113  $g psbo