Модель многофононной рекомбинации через глубокие примесные центры в полупроводниках / В. Н. Абакумов, О. В. Курносова, А. А. Пахомов, И. Н. Яссиевич
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Опубликовано: | Л. , 1987 |
Физические характеристики: |
34 с.
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Препр.
1162 |
Предмет: |
00000cam0a22000001ib4500 | |||
001 | BY-NLB-rr23323700000 | ||
005 | 20210430103210.0 | ||
010 | # | # | $d Беспл. |
021 | # | # | $a RU $b [87-84710] |
100 | # | # | $a 20071112d1987 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Модель многофононной рекомбинации через глубокие примесные центры в полупроводниках $f В. Н. Абакумов, О. В. Курносова, А. А. Пахомов, И. Н. Яссиевич |
210 | # | # | $a Л. $d 1987 |
215 | # | # | $a 34 с. |
225 | 2 | # | $a Препр. $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе $v 1162 |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 33-34 (26 назв.) |
345 | # | # | $9 200 экз. |
606 | 0 | # | $3 BY-NLB-ar24594 $a ПОЛУПРОВОДНИКИ $2 DVNLB |
675 | # | # | $a 537.311.322 |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071112 $g psbo |