Кинетика фотопроводимости нелегированных и легированных индием эпитаксиальных слоев Рв{н.инд.}(z-x)Sn{н.инд.}(x)Te / И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов

Сохранено в:
Шифр документа: М244174,
Вид документа: Книги
Опубликовано: М. , 1983
Физические характеристики: 23 с.
Язык: Русский
Серия: Физика полупроводников Препринт № 194
00000nam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr22143440000
005 20071015130131.0
010 # # $d Беспл. 
021 # # $a RU  $b [83-57770] 
100 # # $a 20071015d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Кинетика фотопроводимости нелегированных и легированных индием эпитаксиальных слоев Рв{н.инд.}(z-x)Sn{н.инд.}(x)Te  $f И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов 
210 # # $a М.  $d 1983 
215 # # $a 23 с. 
225 2 # $a Физика полупроводников  $v Препринт № 194 
300 # # $a В надзаг.: АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева. Библиогр.: с. 22-23 (31 назв.) 
345 # # $9 100 экз. 
675 # # $a 537.311.322:535.215 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071015  $g psbo