Кинетика фотопроводимости нелегированных и легированных индием эпитаксиальных слоев Рв{н.инд.}(z-x)Sn{н.инд.}(x)Te / И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Опубликовано: | М. , 1983 |
Физические характеристики: |
23 с.
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Физика полупроводников
Препринт № 194 |
00000nam0a22000001ib4500 | |||
001 | BY-NLB-rr22143440000 | ||
005 | 20071015130131.0 | ||
010 | # | # | $d Беспл. |
021 | # | # | $a RU $b [83-57770] |
100 | # | # | $a 20071015d1983 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Кинетика фотопроводимости нелегированных и легированных индием эпитаксиальных слоев Рв{н.инд.}(z-x)Sn{н.инд.}(x)Te $f И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов |
210 | # | # | $a М. $d 1983 |
215 | # | # | $a 23 с. |
225 | 2 | # | $a Физика полупроводников $v Препринт № 194 |
300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева. Библиогр.: с. 22-23 (31 назв.) |
345 | # | # | $9 100 экз. |
675 | # | # | $a 537.311.322:535.215 |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071015 $g psbo |