|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr21892030000 |
| 005 |
20071005153125.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 7 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [77-32939]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20071005d1976 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a AM
|
| 200 |
1 |
# |
$a Исследование структурного совершенства полупроводниковых кристаллов и гетероструктур с помощью синхротронного излучения
$f Л. И. Даценко, Д. Л. Егикян, И. П. Карабеков [и др.]
|
| 210 |
# |
# |
$a Ереван
$c ЕФИ
$d 1976
|
| 215 |
# |
# |
$a 12 с.
$c ил.
$d 20 см
|
| 225 |
2 |
# |
$a Науч. сообщ.
$f Ереван физ. ин-т
$v ЕФИ-206(52)-76
|
| 300 |
# |
# |
$a Список лит.: с. 11-12 (10 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 299 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Кристаллы - Рентгенографические исследования
|
| 610 |
0 |
# |
$a Синхротронное излучение
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.315.592:548.73
|
| 701 |
# |
1 |
$a Даценко
$b Л. И.
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20071005
$g psbo
|
