|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr21244240000 |
| 005 |
20161124113635.0 |
| 010 |
# |
# |
$d Беспл.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [91-21927]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20071009d1991 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Дефектообразование как механизм создания свободных и локализованных дырок в Na-легированных полупроводниках типа PbTe
$f Г. Т. Алексеева, Ю. А. Дегтярев, Т. В. Жукова и др.
|
| 210 |
# |
# |
$a Л.
$c ФТИ
$d 1991
|
| 215 |
# |
# |
$a 46 с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препр.
$f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
$v 1521
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 46 (10 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 200 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Свинец, теллуриды - Электрические свойства - Влияние примесей
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322:548.4
|
| 701 |
# |
1 |
$a Алексеева
$b Г. Т.
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20071009
$g psbo
|
