Выращивание кристаллов методом радиационного нагрева: Оксидные системы / П. А. Арсеньев, Х. С. Багдасаров, А. Фазилов, В. В. Фенин

Сохранено в:
Шифр документа: 293463,
Вид документа: Книги
Опубликовано: Ташкент : Фан , 1988
Физические характеристики: 154, [2] с. : ил. ; 22 см
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr20943890000
005 20210720100226.0
010 # # $a 5-648-00076-6  $d 1 р. 90 к. 
021 # # $a RU  $b [89-8345] 
100 # # $a 20071005d1988 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UZ 
200 1 # $a Выращивание кристаллов методом радиационного нагрева  $e Оксидные системы  $f П. А. Арсеньев, Х. С. Багдасаров, А. Фазилов, В. В. Фенин  $g АН УзССР, Науч.-произв. об-ние «Физика-Солнце», Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева  $g Отв. ред. И. В. Тананаев 
210 # # $a Ташкент  $c Фан  $d 1988 
215 # # $a 154, [2] с.  $c ил.  $d 22 см 
300 # # $a Библиогр.: с. 136-155 (412 назв.) 
345 # # $9 1000 экз. 
606 0 # $3 BY-NLB-ar14034923  $a РАДИАЦИОННЫЙ НАГРЕВ  $2 DVNLB 
610 0 # $a Металлы, окислы - Кристаллы - Выращивание 
675 # # $a 661.811.2.065.32 
701 # 1 $a Арсеньев  $b П. А.  $g Павел Александрович 
702 # 1 $a Тананаев  $b И. В.  $g Иван Владимирович  $4 340 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071005  $g psbo