|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr20594410000 |
| 005 |
20140227111105.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 6 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [84-49112]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070924d1984 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a AZ
|
| 200 |
1 |
# |
$a Воздействие жестких излучений на монокристаллы слоистых полупроводников типа A³B⁶ и A³B³X₂⁶
$f Г. Д. Гусейнов, Э. Ф. Багирзаде, В. М. Журавлев и др.
|
| 210 |
# |
# |
$a Баку
$d 1984
|
| 215 |
# |
# |
$a 43 с.
$c черт.
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препринт
$f АН АзССР, Ин-т физики
$v № 94
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 42-43 (11 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 70 экз.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1659644
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
$2 DVNLB
|
| 610 |
0 |
# |
$a Детекторы ионизирующих излучений
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322:539.1
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070924
$g psbo
|
