Исследование и разработка технологии получения высокоэффективных диффузионных P-Π переходов на основе GaAs₄-нР{н.инд.}(x) и GeP: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.17.16)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Эскин, С. М. |
| Опубликовано: | М. , 1979 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr19597510000 | ||
| 005 | 20070518190220.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070518d1979 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование и разработка технологии получения высокоэффективных диффузионных P-Π переходов на основе GaAs₄-нР{н.инд.}(x) и GeP $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.17.16) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1979 |
| 215 | # | # | $a 19 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 17-19 (14 назв.). В надзаг.: Моск. ин-т электрон. техники. Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.17.16 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Эскин $b С. М. $g Сергей Моисеевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070518 $g psbo |