Влияние ионного легирования на вторичноэмисионные свойства диэлектрических пленок SiO2, CaF2 и MgO: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.04)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Шатурсунов, Ш. |
| Опубликовано: | Ташкент , 1982 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr18829060000 | ||
| 005 | 20211101152707.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070511d1982 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UZ |
| 200 | 1 | # | $a Влияние ионного легирования на вторичноэмисионные свойства диэлектрических пленок SiO2, CaF2 и MgO $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.04) |
| 210 | # | # | $a Ташкент $d 1982 |
| 215 | # | # | $a 15 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН УзССР. Ин-т электроники им. У. А. Арифова. Библиогр.: с. 14-15 (11 назв.) |
| 675 | # | # | $a 537.533 |
| 686 | # | # | $a 01.04.04 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Шатурсунов $b Ш. $g Шомансур |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070511 $g psbo |