Особенности фотоэлектрических свойств кремниевых структур, обусловленные приповерхностным нарушением слоев: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Цыбанев, Н. Н. |
| Опубликовано: | Одесса , 1990 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr18180620000 | ||
| 005 | 20070503140040.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070503d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Особенности фотоэлектрических свойств кремниевых структур, обусловленные приповерхностным нарушением слоев $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова |
| 210 | # | # | $a Одесса $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 15-16 (12 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Цыбанев $b Н. Н. $g Николай Николаевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070503 $g psbo |