Исследование фотоэлектрических методов и разработка приборов контроля параметров излучения полупроводниковых источников: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.11.13)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Хохлачев, К. И. |
| Опубликовано: | М. , 1981 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr17981760000 | ||
| 005 | 20070502154734.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070502d1981 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование фотоэлектрических методов и разработка приборов контроля параметров излучения полупроводниковых источников $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.11.13) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1981 |
| 215 | # | # | $a 24 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: НИИ интроскопии. Библиогр.: с. 23-24 (21 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.11.13 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Хохлачев $b К. И. $g Константин Иванович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070502 $g psbo |