Разработка научных основ получения структур с заданным профилем распределения легирующей примеси в технологий эпитаксиального наращивания кремния: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук: (05.27.06) / Моск. ин-т электрон. техники
Enregistré dans:
| Format: | |
|---|---|
| Auteur principal: | Харченко, В. В. |
| Publié: | М. , 1986 |
| Description matérielle: |
51 с.
|
| Langue: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Réserver | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||