Получение слоев GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и гетеропереходов GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x)-GaAš методом жидкостной эпитаксии и исследование их электрических и фотоэлектрических свойств: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН АзССР. Ин-т физики

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ280073,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Оуш, П. Т.
Опубликовано: Баку , 1975
Физические характеристики: 19 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr17407380000
005 20070424174339.0
021 # # $a RU  $b [75-26984а] 
100 # # $a 20070424d1975 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AZ 
200 1 # $a Получение слоев GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и гетеропереходов GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x)-GaAš методом жидкостной эпитаксии и исследование их электрических и фотоэлектрических свойств  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f АН АзССР. Ин-т физики 
210 # # $a Баку  $d 1975 
215 # # $a 19 с. 
300 # # $a Список работ авт.: с. 18-19 (7 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Оуш  $b П. Т.  $g Петр Тимофеевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070424  $g psbo