Исследование одноканальных инжекционных полупроводниковых лазеров на основе GaAs: (01.04.03): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Нарзуллаев, К. |
| Veröffentlicht: | М. , 1979 |
| Beschreibung: |
15 с.
|
| Sprache: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||