Исследование одноканальных инжекционных полупроводниковых лазеров на основе GaAs: (01.04.03): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Нарзуллаев, К. |
| Апублікавана: | М. , 1979 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
15 с.
|
| Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||