Исследование экситонных состояний в некоторых полупроводниках с большой шириной запрещенной зоны методом фарадеевского вращения: (01.04.05): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Харьк. гос. ун-т им. А. М. Горького
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Муссил, В. В. |
| Опубликовано: | Харьков , 1978 |
| Физические характеристики: |
23 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr16339080000 | ||
| 005 | 20070412181515.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [78-11054а] |
| 100 | # | # | $a 20070412d1978 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Исследование экситонных состояний в некоторых полупроводниках с большой шириной запрещенной зоны методом фарадеевского вращения $e (01.04.05) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Харьк. гос. ун-т им. А. М. Горького |
| 210 | # | # | $a Харьков $d 1978 |
| 215 | # | # | $a 23 с. $c граф. |
| 300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 22-23 (9 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.05 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Муссил $b В. В. $g Владимир Викторович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070412 $g psbo |