Влияние радиационно-термических обработок на дефекты структуры и спектры глубоких уровней в тонких эпитаксиальных слоях GaAs и диодах на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.21) / Моск. ин-т электрон. машиностроения
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Морозова, О. Н. |
| Опубликовано: | М. , 1989 |
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr16186600000 | ||
| 005 | 20070411130451.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070411d1989 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Влияние радиационно-термических обработок на дефекты структуры и спектры глубоких уровней в тонких эпитаксиальных слоях GaAs и диодах на их основе $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.27.21) $f Моск. ин-т электрон. машиностроения |
| 210 | # | # | $a М. $d 1989 |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 16-17 (7 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.27.21 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Морозова $b О. Н. $g Ольга Николаевна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070411 $g psbo |