|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr15538840000 |
| 005 |
20070404150052.0 |
| 010 |
# |
# |
$b В пер.
$d 2 р. 7 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [73-66698]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070404d1973 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Ионное легирование полупроводников
$e (Кремний и германий). Пер. с англ.
$f Под ред. канд. физ.-мат. наук В. М. Гусева
|
| 210 |
# |
# |
$a М.
$c Мир
$d 1973
|
| 215 |
# |
# |
$a 296 с.
$c ил.
$d 22 см
|
| 300 |
# |
# |
$a Список лит.: с. 288-296 (335 назв.). Перед загл. авт.: Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Дэвис. Доп. тит. л.: Ion implantation in semiconductors. James W. Mayer, Lennart Eriksson, John A. Davis
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Легирование ионное
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.315.592.002
|
| 700 |
# |
1 |
$a Мейер
$b Дж.
|
| 701 |
# |
1 |
$a Эриксон
$b Л.
|
| 701 |
# |
1 |
$a Дэвис
$b Дж.
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070404
$g psbo
|
