
Разработка и исследование свойств гетероструктур в системе InGaAsP/InP для излучателей с λ≃1,3 мкм: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Saved in:
Format: | |
---|---|
Main Author: | Мдивани, В. Н. |
Published: | Л. , 1982 |
Physical Description: |
21 с.
|
Language: | Russian |
ОФХ отдела книгохранения
All : 1 , available: 1 | Available Place a Hold | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|