Образование дефектов в полупроводниках при ионной бомбардировке
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Мартыненко, Ю. В. |
| Опубликовано: | М. , 1980 |
| Физические характеристики: |
27 с. : черт.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Ин-т атом. энергии им. И. В. Курчатова
ИАЭ-3261/11 |
| 00000cam0a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr15271080000 | ||
| 005 | 20150202094120.0 | ||
| 010 | # | # | $d 13 к. |
| 021 | # | # | $a RU $b [80-54858] |
| 100 | # | # | $a 20070403d1980 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Образование дефектов в полупроводниках при ионной бомбардировке |
| 210 | # | # | $a М. $d 1980 |
| 215 | # | # | $a 27 с. $c черт. |
| 225 | 2 | # | $a Ин-т атом. энергии им. И. В. Курчатова $v ИАЭ-3261/11 |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 25-27 (44 назв.) |
| 345 | # | # | $9 200 экз. |
| 675 | # | # | $a 537.311.322 |
| 700 | # | 1 | $a Мартыненко $b Ю. В. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070403 $g psbo |