Электронные процессы в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН КазССР, Ин-т ядер. физики

Сохранено в:
Шифр документа: 142632/91,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Мальтекбасов, М. Ж.
Опубликовано: Алма-Ата , 1991
Физические характеристики: 18 с. : граф.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr15058530000
005 20070328163632.0
021 # # $a RU  $b [91-7664а] 
100 # # $a 20070328d1991 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a KZ 
200 1 # $a Электронные процессы в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления  $e (01.04.07)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН КазССР, Ин-т ядер. физики 
210 # # $a Алма-Ата  $d 1991 
215 # # $a 18 с.  $c граф. 
300 # # $a Библиогр.: с. 17-18 (10 назв.) 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Мальтекбасов  $b М. Ж.  $g Марат Жабыкбаевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070328  $g psbo