Исследование процессов переноса при выращивании кристаллов газопламенным методом, разработка аппарата для получения кристаллов повышенной однородности: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.17.08)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ367917СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Лорьян, Р. Р.
Опубликовано: М. , 1979
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr14553410000
005 20070323125550.0
100 # # $a 20070323d1979 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование процессов переноса при выращивании кристаллов газопламенным методом, разработка аппарата для получения кристаллов повышенной однородности  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e (05.17.08) 
210 # # $a М.  $d 1979 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a В надзаг.: Моск. ин-т хим. машиностроения. Для служеб. пользования 
686 # # $a 05.17.08  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Лорьян  $b Р. Р.  $g Роберт Рафаэлович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070323  $g psbo