Распределение дефектов в слоях, разупорядоченных в процессе облучения Si легкими ионами средних энергий

Сохранено в:
Шифр документа: АНД888148К,
Вид документа: Книги
Автор: Кутукова, О. Г.
Опубликовано: М. , 1974
Физические характеристики: 19 с. : черт. и ил.
Язык: Русский
Серия: Ин-т атомной энергии им. И. В. Курчатова ИАЭ-2401
00000cam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr13745110000
005 20151222195815.0
010 # # $d 8 к. 
021 # # $a RU  $b [75-40858] 
100 # # $a 20070313d1974 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Распределение дефектов в слоях, разупорядоченных в процессе облучения Si легкими ионами средних энергий 
210 # # $a М.  $d 1974 
215 # # $a 19 с.  $c черт. и ил. 
225 2 # $a Ин-т атомной энергии им. И. В. Курчатова  $v ИАЭ-2401 
300 # # $a Список лит.: с. 13 (10 назв.) 
345 # # $9 130 экз. 
675 # # $a 621.315.592.002 
700 # 1 $a Кутукова  $b О. Г. 
701 # 1 $a Стрельцов  $b Л. Н. 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070313  $g psbo