Разработка ионно-стимулируемых галогенидных процессов получения поверхностных слоев полупроводников, металлов и диэлектриков в тлеющем разряде: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук: (05.17.16) / Моск. ин-т стали и сплавов

Сохранено в:
Шифр документа: 3588/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Кузнецов, Г. Д.
Опубликовано: М. , 1983
Физические характеристики: 50 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr13420830000
005 20070301144829.0
100 # # $a 20070301d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Разработка ионно-стимулируемых галогенидных процессов получения поверхностных слоев полупроводников, металлов и диэлектриков в тлеющем разряде  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук  $e (05.17.16)  $f Моск. ин-т стали и сплавов 
210 # # $a М.  $d 1983 
215 # # $a 50 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 48-50 (36 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 05.17.16  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Кузнецов  $b Г. Д.  $g Геннадий Дмитриевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070301  $g psbo