Кинетика формирования и свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных МОС-гидридным методом, на подложках GaAs, подвергнутых облучению ионами аргона и лазерной плазмой мышьяка: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / АН СССР, Урал. отдние, Физ.-техн. ин-т
Saved in:
| Format: | |
|---|---|
| Main Author: | Краснов, А. А. |
| Published: | Ижевск , 1987 |
| Physical Description: |
24 с.
|
| Language: | Russian |
ОФХ отдела книгохранения
| All : 1 , available: 1 | Available Place a Hold | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||