Исследование поверхностных слоев и разработка технологии обработки полупроводниковых кристаллов типа A²B6: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06) / Моск. ин-т электрон. машиностроения
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кравченко, В. И. |
| Опубликовано: | М. , 1969 |
| Физические характеристики: |
23 с. : рис.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr13054770000 | ||
| 005 | 20230630142811.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070227d1969 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование поверхностных слоев и разработка технологии обработки полупроводниковых кристаллов типа A²B6 $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.27.06) $f Моск. ин-т электрон. машиностроения |
| 210 | # | # | $a М. $d 1969 |
| 215 | # | # | $a 23 с. $c рис. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 20-21 (7 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.27.06 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Кравченко $b В. И. $g Валерий Иванович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070227 $g psbo |