Процессы переноса заряда и диэлектрической реалаксации в оксидных стеклообразных полупроводниках, содержащих пятиокись ванадия, и в тонкопленочных структурах на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: 369/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Косинцев, В. И.
Опубликовано: Томск , 1985
Физические характеристики: 19 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr12880800000
005 20070222190504.0
100 # # $a 20070222d1985 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Процессы переноса заряда и диэлектрической реалаксации в оксидных стеклообразных полупроводниках, содержащих пятиокись ванадия, и в тонкопленочных структурах на их основе  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Томск  $d 1985 
215 # # $a 19 с. 
300 # # $a В надзаг.: Томск. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. Библиогр.: с. 18-19 (12 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Косинцев  $b В. И.  $g Владимир Иванович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070222  $g psbo