|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr12496180000 |
| 005 |
20070216172214.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 75 к.
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070216d1981 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Математические модели физических процессов инжекции и релаксации заряда в диэлектрических слоях МДП-гранзисторов с памятью
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 1981
|
| 215 |
# |
# |
$a 83 с.
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препринт
$f Ин-т физики полупроводников СО АН СССР
$v № 59-81
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 75-82 (100 назв)
|
| 345 |
# |
# |
$9 200 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Диэлектрики
|
| 610 |
0 |
# |
$a МДП-структуры
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.382.323
|
| 700 |
# |
1 |
$a Кольдяев
$b В. И.
$g Виктор Исакович
|
| 701 |
# |
1 |
$a Свиташев
$b К. К.
$g Константин Константинович
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070216
$g psbo
|
