Разработка физических основ технологии ядерного легирования полупроводниковых соединений A³B5: (На прим. CaAs и InAs). Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск. ин-т стали и сплавов
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Колин, Н. Г. |
| Опубликовано: | М. , 1985 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr12433830000 | ||
| 005 | 20220113104833.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070216d1985 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Разработка физических основ технологии ядерного легирования полупроводниковых соединений A³B5 $e (На прим. CaAs и InAs). Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Моск. ин-т стали и сплавов |
| 210 | # | # | $a М. $d 1985 |
| 215 | # | # | $a 24 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 22-24 (17 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Колин $b Н. Г. $g Николай Георгиевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070216 $g psbo |