Фотопреобразователи и биполярные транзисторы на основе гетероструктур с субмикронными слоями в системе Al-Ga-As: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Guardado en:
Шифр документа: 54932/87,
Formato: Авторефераты диссертаций
Autor principal: Койнова, А. М.
Publicado: Л. , 1987
Descripción Física: 14 с.
Lenguaje: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr12366560000
005 20070214160741.0
021 # # $a RU  $b [87-8510а] 
100 # # $a 20070214d1987 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Фотопреобразователи и биполярные транзисторы на основе гетероструктур с субмикронными слоями в системе Al-Ga-As  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1987 
215 # # $a 14 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 14 (6 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Койнова  $b А. М.  $g Анета Методиева 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070214  $g psbo