
Физические и технологические аспекты проблемы создания высокоэффективных кремниевых p-i-n фотодиодных структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Клячкин, Л. Е. |
Опубликовано: | Л. , 1987 |
Физические характеристики: |
21 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr12133890000 | ||
005 | 20070208164918.0 | ||
100 | # | # | $a 20070208d1987 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Физические и технологические аспекты проблемы создания высокоэффективных кремниевых p-i-n фотодиодных структур $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
210 | # | # | $a Л. $d 1987 |
215 | # | # | $a 21 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 19-21 (14 назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Клячкин $b Л. Е. $g Леонид Ефимович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070208 $g psbo |