Рельефное осаждение - новый метод эпитакспального выращивания для полупроводниковых приборов и интегральных схем / Переводчик Л. Ф. Тимохина

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ91856,
Вид документа: Книги
Автор: Клейн, Т.
Опубликовано: М. : Центр. науч.-исслед. ин-т техн.-экон. исслед. и науч. информации , 1967
Физические характеристики: 22 с. : илл.
Язык: Русский
Серия: Переводы иностр. лит. Серия: Технология организация производства Пер. № 26/ЭТ-1618
00000nam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr12040340000
005 20070207135256.0
100 # # $a 20070207d1967 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Рельефное осаждение - новый метод эпитакспального выращивания для полупроводниковых приборов и интегральных схем  $f Переводчик Л. Ф. Тимохина 
210 # # $a М.  $c Центр. науч.-исслед. ин-т техн.-экон. исслед. и науч. информации  $d 1967 
215 # # $a 22 с.  $c илл. 
225 2 # $a Переводы иностр. лит. Серия: Технология организация производства  $f М-во электронной пром-сти СССР  $v Пер. № 26/ЭТ-1618 
300 # # $a На обл. автор не указан 
675 # # $a 548.5+539.293 
700 # 1 $a Клейн  $b Т. 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070207  $g psbo