![](/themes/root/images/default-cover.png)
Технология и параметры оптоэлектронных приборов на базе кубического SiC: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.12.18) / Киев. политехн. ин-т им. 50-летия Великой Окт. соц. революции
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Киселев, В. С. |
Опубликовано: | Киев , 1983 |
Физические характеристики: |
16 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr11993930000 | ||
005 | 20070207134638.0 | ||
100 | # | # | $a 20070207d1983 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Технология и параметры оптоэлектронных приборов на базе кубического SiC $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.12.18) $f Киев. политехн. ин-т им. 50-летия Великой Окт. соц. революции |
210 | # | # | $a Киев $d 1983 |
215 | # | # | $a 16 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 13-15 (21 назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 05.12.18 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Киселев $b В. С. $g Виталий Семенович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070207 $g psbo |