Разработка совмещенных газофазных процессов получения многослойных структур GaAs:Si-SiO2 для диодов Ганна: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.17.16)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кинкладзе, О. В. |
| Опубликовано: | М. , 1982 |
| Физические характеристики: |
23 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11920670000 | ||
| 005 | 20211125142840.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070206d1982 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Разработка совмещенных газофазных процессов получения многослойных структур GaAs:Si-SiO2 для диодов Ганна $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.17.16) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1982 |
| 215 | # | # | $a 23 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Моск. ин-т стали и сплавов. Библиогр.: с. 22-23 (6 назв.). Для служеб. пользования |
| 675 | # | # | $a 621.315.592+548.522 |
| 686 | # | # | $a 05.17.16 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Кинкладзе $b О. В. $g Отар Вахтангович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070206 $g psbo |