Ионное легирование полупроводниковых соединений: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Качурин, Г. А. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1980 |
| Физические характеристики: |
37 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11782240000 | ||
| 005 | 20070202153913.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [81-10049а] |
| 100 | # | # | $a 20070202d1980 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Ионное легирование полупроводниковых соединений $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a Новосибирск $d 1980 |
| 215 | # | # | $a 37 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, СО, Ин-т физики полупроводников. Библиогр.: с. 29-37 (97 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Качурин $b Г. А. $g Григорий Аркадьевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070202 $g psbo |