|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ia4500 |
001 |
BY-NLB-rr11665320000 |
005 |
20070130180310.0 |
100 |
# |
# |
$a 20070130d1990 y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
200 |
1 |
# |
$a Разработка процессов формирования границ раздела арсенид галлия, фосфид индия - электрохимически осажденный металл для создания СВЧ диодов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук
$e (02.00.18)
$f Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
|
210 |
# |
# |
$a Томск
$d 1990
|
215 |
# |
# |
$a 21 с.
|
300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 20-21 (14 назв.). Для служеб. пользования
|
686 |
# |
# |
$a 02.00.18
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$a Карпович
$b Н. В.
$g Нина Васильевна
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070130
$g psbo
|