Лазерный отжиг полупроводников и образование поверхностных периодических структур: (01.04.21): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук / АН СССР, Ин-т общ. физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Капаев, В. В. |
| Опубликовано: | М. , 1991 |
| Физические характеристики: |
41 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11505010000 | ||
| 005 | 20070129142403.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [91-14693а] |
| 100 | # | # | $a 20070129d1991 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Лазерный отжиг полупроводников и образование поверхностных периодических структур $e (01.04.21) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $f АН СССР, Ин-т общ. физики |
| 210 | # | # | $a М. $d 1991 |
| 215 | # | # | $a 41 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 38-41 (26 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.21 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Капаев $b В. В. $g Владимир Васильевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070129 $g psbo |