|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr10709720000 |
| 005 |
20061229151433.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 39 к.
|
| 021 |
# |
# |
$b [75-99327]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20061229d1975 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Ионное легирование полупроводников
$f Е. И. Зорин, П. В. Павлов, Д. И. Тетельбаум
|
| 210 |
# |
# |
$a М.
$c Энергия
$d 1975
|
| 215 |
# |
# |
$a 129 с.
$c ил.
$d 20 см
|
| 225 |
2 |
# |
$a Б-чка радиотехнолога
$v Вып. 6
|
| 300 |
# |
# |
$a Список лит.: с. 120-128 (139 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 4000 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Легирование ионное
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.315.592.002
|
| 700 |
# |
1 |
$a Зорин
$b Е. И.
$g Евгений Иванович
|
| 701 |
# |
1 |
$a Павлов
$b П. В.
$g Павел Васильевич
|
| 701 |
# |
1 |
$a Тетельбаум
$b Д. И.
$g Давид Исаакович
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20061229
$g psbo
|
