Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.06 ; 05.11.14 / Алтухов Андрей Александрович
Zapisane w:
| Format: | |
|---|---|
| 1. autor: | Алтухов, А. А. |
| Wydane: | Москва , 2005 |
| Opis fizyczny: |
25 с.
|
| Język: | Русский |
| Hasła przedmiotowe: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||