Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.06 ; 05.11.14 / Алтухов Андрей Александрович
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Алтухов, А. А. |
| Апублікавана: | Москва , 2005 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
25 с.
|
| Мова: | Руская |
| Прадмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||