Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(AL)GaAs, формируемых методом мос-гидридной эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.06 / Андреев Андрей Юрьевич
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Андреев, А. Ю. |
| Publicado: | Москва , 2004 |
| Descripción Física: |
23 с.
|
| Lenguaje: | Русский |
| Materias: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Hacer reserva | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||