Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных ρ-n-переходов на основе фосфида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10 / Светухина Ольга Сергеевна

Сохранено в:
Шифр документа: 2АД135822,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Светухина, О. С.
Опубликовано: Ульяновск , 2004
Физические характеристики: 22 c.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br738151
005 20200627114601.0
100 # # $a 20050709d2004 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a ru 
105 # # $a a 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных ρ-n-переходов на основе фосфида галлия  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  $e 01.04.10  $f Светухина Ольга Сергеевна  $g [Ульяновский государственный университет] 
210 # # $a Ульяновск  $d 2004 
215 # # $a 22 c. 
300 # # $a Библиография: с. 21-22 (10 названий). 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24588  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar38854  $a ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12158  $a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar25458  $a ПРИЕМНИКИ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar21873  $a ОПТОЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar38855  $a ЭЛЕКТРЫЧНЫЯ ЎЛАСЦІВАСЦІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12159  $a ІОННАЯ ІМПЛАНТАЦЫЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar25459  $a ПРЫЁМНІКІ АПТЫЧНАГА ВЫПРАМЕНЬВАННЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar21874  $a ОПТАЭЛЕКТРОНІКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24589  $a ПАЎПРАВАДНІКОВЫЯ МАТЭРЫЯЛЫ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.23  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.09.29  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-644524  $a Светухина  $b О. С.  $g Ольга Сергеевна 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20050709  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060901  $g psbo