Влияние уровня возбуждения на процессы безызлучательной рекомбинации на точечных дефектах структуры в полупроводниках: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков / Шадурская Людмила Иосифовна
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Шадурская, Л. И. (род. 1949) |
| Veröffentlicht: | Минск , 1981 |
| Beschreibung: |
12 с.
|
| Sprache: | Русский |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: |
E-документ
|
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 2 , доступно: 2 | Verfügbar Bestellen | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
||||||||||||||||