Молекулярно лучевая эпитаксия соединений АIIBVI на подложках GaАs(112)В и GaАs(310): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Якушев Максим Витальевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад89643,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Якушев, М. В.
Опубликовано: Новосибирск , 2003
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br480033
005 20201110162336.0
100 # # $a 20030514d2003 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a ru 
105 # # $a a 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Молекулярно лучевая эпитаксия соединений АIIBVI на подложках GaАs(112)В и GaАs(310)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.07  $f Якушев Максим Витальевич  $g [Ин-т физики полупроводников Сиб. отд-ния РАН] 
210 # # $a Новосибирск  $d 2003 
215 # # $a 17 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 16-17 (14 назв.). 
686 # # $a 29.19.03  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.16  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-557239  $a Якушев  $b М. В.  $g Максим Витальевич  $c доктор физико-математических наук 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20030514  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo