|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br438289 |
| 005 |
20241015105715.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20021029d2002 k y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук
$e 05.27.06
$f Гончарова Наталья Вячеславовна
$g [Моск. гос. ин-т электрон. техники]
|
| 210 |
# |
# |
$a М.
$d 2002
|
| 215 |
# |
# |
$a 27 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 27 (9 назв.).
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar42268
$a ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2398267
$a ФОСФИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3334764
$a ПРОМЫШЛЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.14.07
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.06
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-550218
$a Гончарова
$b Н. В.
$g Наталья Вячеславовна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20021029
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|
