Исследование широкозонных полупроводников GaN, AIN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Смирнов Александр Николаевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад57361,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Смирнов, А. Н.
Опубликовано: Спб. , 2001
Физические характеристики: 24 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br359493
005 20100827135444.0
100 # # $a 20011016d2001 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a a m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Исследование широкозонных полупроводников GaN, AIN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.07  $f Смирнов Александр Николаевич  $g Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе 
210 # # $a Спб.  $d 2001 
215 # # $a 24 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 23-24. 
686 # # $a 29.19.03  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-NLB-ar1689697  $a Смирнов  $b А. Н.  $g Александр Николаевич  $c кандидат физико-математических наук 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20011016  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo