
Методика нанооксидирования и травления поверхности n-InGaAs с помощью атомно-силового микроскопа: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.01 / Соколов Дмитрий Васильевич
Zapisane w:
Format: | |
---|---|
1. autor: | Соколов, Д. В. |
Wydane: | СПб. , 2001 |
Opis fizyczny: |
16 с.
|
Język: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|